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IRF7509TRPBF中文资料

IRF7509TRPBF图片

IRF7509TRPBF外观图

  • 大小:241.7KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: MOSFET, NP; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:2.7A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):110mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Transistor Case Style:MicroSOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Cont Current Id N Channel:2.7A; Cont Current Id P Channel:2A; Current Id Max:2.7A; On State Resistance @ Vgs = 10V N Channel:900mohm; On State Resistance @ Vgs = 10V P Channel:170mohm; On State Resistance @ Vgs = 4.5V N Channel:140mohm; On State Resistance @ Vgs = 4.5V P Channel:300mohm; Package / Case:Micro8; Power Dissipation Pd:1.25W; Pulse Curr...
  • 标准包装:4,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:N 和 P 沟道
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.7A,2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:110 毫欧 @ 1.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:12nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:210pF @ 25V
  • 功率 - 最大:1.25W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
  • 供应商设备封装:Micro8?
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRF7509TRPBF-NDIRF7509TRPBFTR

IRF7509TRPBF供应商

更新时间:2023-01-10 03:56:38
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